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逆变电源

RSK2000正弦波

    过细说明

  在旧有NPT平面技术的底子上开拓了一种可以提高高开关频率的升压电路遵从的器件FGL40N120AND,具有43uJ/A的EOFF,相比采取更先辈技术器件的EOFF为80uJ/A,但要失失这种遵从却十分困难。FGL40N120AND器件的缺陷在于饱和压降VCE(SAT)(3.0V相敷衍125ºC的2.1V)较高,不过它在高升压开关频率下开关斲丧很低的益处已足以补充这完备。该器件还集成了反并联二极管。在正常升压变乱下,该二极管不会导通。但是,在启动时期或瞬变环境下,升压电路有约莫被驱策进入变乱情势,这时该反并联二极管就会导通。由于IGBT自身没有固有的体二极管,故需要这种共封装的二极管来包管结实的变乱。对升压二极管,需要Stealth™或碳硅二极管多么的快速克复二极管。碳硅二极管具有很低的正向电压和斲丧。不过如今它们的价钱都很奋发。在选择升压二极管时,必需思量到反向规来电流(或碳硅二极管的结电容)对升压开关的影响,由于这会招致格外的斲丧。在这里,新推出的StealthII二极管FFP08S60S可以提供更高的遵从。当VDD=390V、ID=8A、di/dt=200A/us,且外壳温度为100ºC时,谋略得出的开关斲丧低于FFP08S60S的参数205mJ。而采取ISL9R860P2Stealth二极管,这个值则达225mJ。故此举也提高了逆变器在高开关频率下的遵从。【太阳能路灯厂家

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